Hersteller Produktnummer:
TSM160N10LCR RLG
Product Overview
Hersteller:
Taiwan Semiconductor Corporation
Teilenummer:
TSM160N10LCR RLG-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 46A 8PDFN
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 46A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
Inventar:
10887 Stück Neu Original Auf Lager
12897845
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EINREICHEN
TSM160N10LCR RLG Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
46A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
73 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4431 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
83W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-PDFN (5x6)
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
TSM160
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
TSM160N10LCR RLGTR
TSM160N10LCR RLGDKR
TSM160N10LCRRLGDKR
TSM160N10LCR RLGTR-DG
TSM160N10LCR RLGDKR-DG
TSM160N10LCR RLGCT-DG
TSM160N10LCRRLGCT
TSM160N10LCRRLGTR
TSM160N10LCR RLGCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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